雪崩二极管（Avalanche Diode）是一种特殊的二极管，也被称为稳压二极管或击穿二极管。它在一定电压下，可以产生电子的雪崩效应，使电流成倍增长，但同时也会产生高功耗。因此，雪崩二极管常用于稳压、电压限制、欠压保护等场合。
雪崩二极管的结构与普通二极管基本相似，主要的区别在于在pn结上掺入了大量的杂质离子，形成了一种紧密的电离层结构。当二极管的逆向电流增大到一定程度时，电场强度达到一定值，pn结中的电子和空穴轰击靠近的原子，使其电离产生更多的载流子，这种效应逐渐放大形成了雪崩效应，使电流大幅度增加。
雪崩二极管具有响应速度快、功耗低、可靠性高等优点。在使用过程中，需要根据具体电路的特点来选择合适的工作点，防止雪崩效应引起的功率损耗过大或过热等问题。