光电二极管（Photodiode）是一种能将光信号转化成电信号的器件，相比较其他光学器件，它具有响应速度快、可靠性高等优势，广泛应用于通信、光纤通信、安防、照明等领域。
1927年，美国物理学家Elmer Imes第一次成功地将元素锗制成晶体，并发现了锗在红外光区域可具有导电性，为光电二极管的发展奠定了基础。到了20世纪30年代，一些研究者进一步发现了硅和锗之间的异质结，这为发展光电二极管奠定了基础。
而光电二极管的实际应用到20世纪50年代以后，当时主要应用于军事领域的夜视仪、红外测距仪等设备中。到了20世纪70年代，随着半导体技术的飞速发展，光电二极管不断被完善和改进，同时随着信息技术的兴起，对光电二极管的需求逐渐增加，从而推动了光电二极管的广泛应用。
光电二极管主要包括PI-N二极管、PIN二极管、Avalanche二极管等几种，每种二极管结构形式不一，能够满足不同应用场景的需求。例如，PIN二极管是目前应用较为广泛的光电二极管，具有高速、低噪声等优势；而Avalanche二极管则具有增强模式和锁定模式两种工作模式，常用于弱光检测等场景。
光电二极管的发明和应用为光通信、光束传输、红外检测等领域提供了强有力的支撑，也从侧面证明了科技的发展不断推动技术进步和创新的重要作用。
